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第三代半導體材料功率器件是未來高性能功率器件的重要組成部分之一。研發團隊在寬禁帶半導體研究上有豐富的經驗,相繼研發了并聯SiC的GBT及寬禁帶場效應晶體管目前量產的并聯SsiC二極管的新一代高速GBT,大幅改善了Eon、trr、Qr和Qg等特性,適合在追求極限效率的系統中使用,支持80100kHz的高速開關和圖騰柱無橋PFC應用