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推出的第二代、第三代超結MOSFET系列產品，打破了傳統平面VDMOS的硅極限，使得導通電阻與擊穿電壓的關系得到了極大的改進，由傳統的2.5次方變為線性關系，極大的優化了器件的品質因數FOM（Rdson*Qg），比傳統VDMOS具有更快的開關速度，更低的開關損耗，更優的轉換效率；第二代及第三代超結MOSFET分別針對性的優化了EMI特性、產品特征導通電阻特性，同時，也帶來了DFN 8*8、TO-247等多種多樣的封裝形式，全面適用于照明應用、各類電源、適配器、手機、電腦等多種應用場景； 第二代及第三代超結同時推出了快恢復系列產品，極大的縮短了超結MOSFET的反向恢復時間，提高了反向恢復能力，降低了反向恢復損耗，適用于半橋、全橋等拓撲電路中，可應用于各種大功率電源、充電樁等產品中。