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采用電荷平衡原理，使得N型漂移區即使在較高摻雜濃度的情況下也能實現較高的擊穿電壓，從而獲得較低的導通電阻，打破傳統功率MOSFET的硅極限。 SGT產品具有柵漏電容(Cgd)小，開關損耗低 ,優值（FOM）低，抗大電流沖擊能力（EAS）強等特點，結合先進的封裝技術增加了源極金屬的接觸面積，減少封裝寄生電阻，增強了器件高溫工作狀態下的散熱性能。